Поглощение и люминесценция кристаллов карбида кремния (SiC) определяются электронными переходами в центрах окраски – дефектах кристаллической решётки. Изучение видов и свойств центров окраски в карбиде кремния открывает ряд возможностей для его применений в квантовой электронике. Уже известно, что на дефектах карбида кремния можно создавать оптическое выстраивание спиновых подуровней при комнатных температурах, а также продемонстрирована возможность использования дефектов SiC в квантовой сенсорике (в частности, создании высокочувствительных датчиков температуры и магнитного поля) благодаря оптическому отклику центров окраски на слабые изменения ряда внешних параметров. Фотолюминесценция центров окраски в карбиде кремния наблюдается в ближнем и среднем инфракрасном диапазоне спектра, что делает их также перспективными в биомедицинских исследованиях и системах волоконной оптики. На семинаре будет рассказано о результатах исследования люминесценции центров окраски SiC и рассмотрены их применения в магнитометрии (в частности, биологической), а также широко применяемые в магнитометрии материалы на примере магнитоэнцефалографии (МЭГ).