Войти
Логин:
Пароль:
Забыли пароль?
научная деятельность
структура институтаобразовательные проектыпериодические изданиясотрудники институтапресс-центрконтакты
русский | english
Лаборатория № 2 >> Основные направления исследований >> Обнаружение дефектов электронных микросх...

Обнаружение дефектов электронных микросхем на изображениях

Данная задача состоит в разработке алгоритмов формирования маски дефектных участков электронных микросхем путем анализа изображений, получаемых микроскопом высокого разрешения (электронным микроскопом). При этом дефектом называется та область изображения, где наблюдается отличие анализируемого (дефектного) изображения от эталонного (бездефектного).

В результаты проведенных исследований был разработан алгоритм, основанный на прямом поиске различий эталонного и дефектного изображений. Очевидно, что при таком подходе алгоритм обнаружения дефектов по паре изображений низкого увеличения может быть разделен на два последовательных, но совершенно независимых этапа. Первый этап – автоматическое совмещение пары изображений и второй – нахождение области дефекта, как области различия уже совмещенных эталонного и дефектного изображений.

НОВОСТИ И ОБЪЯВЛЕНИЯ
Александр Ефимов (МИАН, ВШЭ, Лаборатория зеркальной симметрии и автоморфных форм) с докладом: "Вве...
В четверг 21 февраля в 14:30 на семинаре лаборатории №8 выступит Иван Николаевич Пигарёв: "Исследова...
Семинар Добрушинской математической лаборатории ИППИ РАН 19 февраля, вторник, 16:00, ауд. 307. ...
15 февраля на "Пятничном семинаре" ИППИ РАН выступит Александр Орлов (Институт Океанологии и ВШЭ) с...
С Днем российской...
Министр науки и высшего образования России Михаил Котюков поздравил ученых с Днем российской...
Роспотребнадзор обращает внимание на необходимость профилактики...
Семинар Добрушинской математической лаборатории ИППИ РАН 12 февраля, вторник, 16:00, ауд. 307. ...
Все новости   
 

 

  © Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем передачи информации им. А.А. Харкевича Российской академии наук, 2019
Об институте  |  Контакты  |  Старая версия сайта