ВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХ
Войти
Логин:
Пароль:
Забыли пароль?
научная деятельность
структура институтаобразовательные проектыпериодические изданиясотрудники институтапресс-центрконтакты
русский | english
Лаборатория № 2 >> Основные направления исследований (old) >> Обнаружение дефектов электронных микросх...

Обнаружение дефектов электронных микросхем на изображениях

Данная задача состоит в разработке алгоритмов формирования маски дефектных участков электронных микросхем путем анализа изображений, получаемых микроскопом высокого разрешения (электронным микроскопом). При этом дефектом называется та область изображения, где наблюдается отличие анализируемого (дефектного) изображения от эталонного (бездефектного).

В результаты проведенных исследований был разработан алгоритм, основанный на прямом поиске различий эталонного и дефектного изображений. Очевидно, что при таком подходе алгоритм обнаружения дефектов по паре изображений низкого увеличения может быть разделен на два последовательных, но совершенно независимых этапа. Первый этап – автоматическое совмещение пары изображений и второй – нахождение области дефекта, как области различия уже совмещенных эталонного и дефектного изображений.

НОВОСТИ И ОБЪЯВЛЕНИЯ
24 сентября состоится открытый семинар лаборатории №11 ИППИ...
Совместный семинар Добрушинской математической лаборатории и лаборатории им. М. С. Пинскера состоитс...
17 сентября состоится открытый семинар лаборатории №11 ИППИ...
Аспирантура ИППИ РАН в лицах: второй...
17 сентября состоится открытый семинар лаборатории №11 ИППИ...
️ИППИ РАН в цифровом навигаторе «Наукоград...
В ИППИ РАН ведется разработка национальной этической платформы в области...
С Днем...
Все новости   
 

 

© Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем передачи информации им. А.А. Харкевича Российской академии наук, 2026
Об институте  |  Контакты  |  Противодействие коррупции