ВЕРСИЯ ДЛЯ СЛАБОВИДЯЩИХ
Войти
Логин:
Пароль:
Забыли пароль?
научная деятельность
структура институтаобразовательные проектыпериодические изданиясотрудники институтапресс-центрконтакты
русский | english
Лаборатория № 2 >> Основные направления исследований (old) >> Обнаружение дефектов электронных микросх...

Обнаружение дефектов электронных микросхем на изображениях

Данная задача состоит в разработке алгоритмов формирования маски дефектных участков электронных микросхем путем анализа изображений, получаемых микроскопом высокого разрешения (электронным микроскопом). При этом дефектом называется та область изображения, где наблюдается отличие анализируемого (дефектного) изображения от эталонного (бездефектного).

В результаты проведенных исследований был разработан алгоритм, основанный на прямом поиске различий эталонного и дефектного изображений. Очевидно, что при таком подходе алгоритм обнаружения дефектов по паре изображений низкого увеличения может быть разделен на два последовательных, но совершенно независимых этапа. Первый этап – автоматическое совмещение пары изображений и второй – нахождение области дефекта, как области различия уже совмещенных эталонного и дефектного изображений.

НОВОСТИ И ОБЪЯВЛЕНИЯ
Состоялась рабочая встреча руководства ИППИ РАН и...
30 апреля состоится открытый семинар лаборатории №11 ИППИ...
Клещи домашней пыли и их роль в развитии аллергии у человека: сотрудник ИППИ РАН выступил экспертом ...
Научный семинар Лаборатории № 4 пройдет в ИППИ...
К 65-летию ИППИ РАН: опубликовано интервью с Аркадием Петровичем...
Приглашаем сотрудников ИППИ РАН на открытие выставки ко Дню Победы «Помним ваши...
23 апреля в ИППИ РАН состоится семинар «Цвет, математика и искусственный...
23 апреля пройдет совместный семинар ИПЭЭ и ИППИ РАН по проблемам сенсорной физиологии. Вспоминаем И...
Все новости   
 

 

© Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем передачи информации им. А.А. Харкевича Российской академии наук, 2026
Об институте  |  Контакты  |  Противодействие коррупции